近日，上海光源軟X射線干涉光刻線站（BL08U1B）用戶研發(fā)成果“極紫外光刻膠”入選中國科協(xié)2020年“科創(chuàng)中國”先導技術榜單，成為先進材料領域10項先導技術之一。研發(fā)團隊開發(fā)出具有國際先進水平和完全自主知識產(chǎn)權的極紫外光刻膠，實現(xiàn)了從材料設計到中試生產(chǎn)的全流程，填補了國內(nèi)技術空白。標志著我國在高端光刻膠領域已躋身世界先進行列，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)安全、國家經(jīng)濟安全和信息安全提供有力保障。 

極紫外光刻膠研發(fā)團隊由中國科學院化學研究所和中國科學院理化技術研究所共同建立，是國內(nèi)最早從事極紫外光刻膠研發(fā)的專業(yè)團隊。自從2013年起，一直利用上海光源軟X射線干涉光刻線站進行極紫外光刻膠性能檢測評估的工作。極紫外光刻膠檢測是極紫外光刻膠研發(fā)的關鍵環(huán)節(jié)，為更好的檢測光刻膠的性能，用戶團隊與上海光源團隊通力合作，在原有干涉光刻實驗站的基礎上完成了光刻膠曝光檢測裝置和產(chǎn)氣測試裝置的共同研制，建立起極紫外光刻膠敏感度、分辨率、邊緣粗糙度及曝光產(chǎn)氣等重要指標檢測的完整極紫外光刻膠評估檢測平臺，在該項成果的研發(fā)過程中發(fā)揮了重要作用。上海光源在我國今后的極紫外光刻膠研發(fā)中繼續(xù)發(fā)揮作用。