福建物構(gòu)所藍(lán)光OLED研究獲新進(jìn)展

文章來(lái)源:福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所  |  發(fā)布時(shí)間:2024-09-11  |  【打印】 【關(guān)閉

  

超高清顯示對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的性能提出了越來(lái)越高的要求,即高效率、長(zhǎng)壽命和高色純度。近年來(lái),多重共振型熱活化延遲熒光(MR-TADF)材料由于其高效的窄帶發(fā)射特性而得到迅速發(fā)展,在實(shí)現(xiàn)高效率高色純度OLED方面極具潛力。不過(guò),MR-TADF分子通常表現(xiàn)出較長(zhǎng)的激子壽命(通常為幾十甚至上百微秒),這使得其器件(特別是藍(lán)光OLED)的穩(wěn)定性面臨極大挑戰(zhàn)(藍(lán)光發(fā)光層中激子累積碰撞生成的高能激子會(huì)導(dǎo)致化學(xué)鍵解離)??焖俑咝У募ぷ永檬菍?shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效藍(lán)光器件的關(guān)鍵解決方案。為此,研究者們使用較短激子壽命的磷光材料和TADF材料作為MR-TADF材料的敏化劑,即采用磷光敏化熒光(PSF)和TADF敏化熒光(TSF)策略,很大程度地提升了MR- TADF器件的性能。然而在PSF和TSF機(jī)制中,激子利用的效率和速率仍不可避免地受到自旋統(tǒng)計(jì)和躍遷禁阻的限制(如圖1a-b)。

圖1. 不同敏化機(jī)制下激子動(dòng)力學(xué)示意圖

近日,中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所盧燦忠團(tuán)隊(duì)以d-f躍遷的雙線態(tài)發(fā)光稀土配合物作為敏化劑,提出并實(shí)施了藍(lán)光OLED敏化新策略——雙線態(tài)敏化熒光(DSF)。由于雙線態(tài)激子生成不受限于自旋統(tǒng)計(jì)(電激發(fā)下,傳統(tǒng)閉殼層材料上三線態(tài)激子:單線態(tài)激子生成比例為3:1),且雙線態(tài)輻射躍遷和能量轉(zhuǎn)移沒(méi)有自旋躍遷禁阻的限制,該策略完美地實(shí)現(xiàn)了激子的高效且快速利用,從而獲得高性能深藍(lán)光OLED。

圖2. 電致發(fā)光性能對(duì)比

研究團(tuán)隊(duì)采用雙線態(tài)發(fā)射的稀土配合物Ce-2作敏化劑,MR-TADF材料ν-DABNA作為終端發(fā)射材料,制備了DSF-OLED(圖2a)。實(shí)驗(yàn)證明,DSF-OLED發(fā)光層中Ce(III)先捕獲空穴氧化為Ce(IV),接著與注入的電子結(jié)合形成雙線態(tài)的Ce(III)*。Ce(III)配合物獨(dú)特的空穴捕獲和電子傳輸能力(圖3a-c),保證發(fā)光層中主要形成雙線態(tài)激子,再通過(guò)F?rster能量傳遞(FRET)將能量轉(zhuǎn)移至客體分子(圖3d。這與光激發(fā)下的機(jī)制略有不同,如圖1c,光激發(fā)下有部分激子在主體材料上形成)。由于規(guī)避了涉及三線態(tài)的慢激子動(dòng)力學(xué)過(guò)程,DSF系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了極快的FRET(kFRET = 4.15 × 108 s?1),且FRET效率高達(dá)93.5%。由于具有很高的激子利用率和極短的激子停留時(shí)間(1.36 μs,圖2f),DSF-OLED實(shí)現(xiàn)了高效的深藍(lán)光發(fā)射,最大外量子效率為30.0%,相比于敏化前的器件效率(9.5%)提升了兩倍多,最大亮度也從3742 cd m?2增加到23860 cd m?2,1000 cd m?2的亮度下CIE色坐標(biāo)為(0.13,0.14),效率滾降僅為14.7%(圖2b-d)。與傳統(tǒng)的相關(guān)PSF-OLED和TSF-OLED相比,該DSF-OLED的綜合性能指標(biāo)(效率、色純度、效率滾降)具有優(yōu)勢(shì)(圖2e)。值得一提的是,相較于同等條件下制備和表征的非敏化器件,DSF-OLED運(yùn)行壽命有非常顯著的提升(9.1 h versus 7 min)。該研究表明,DSF策略在實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定、高色純度的藍(lán)光OLED方面具有很大潛力,有希望在實(shí)現(xiàn)超高清OLED顯示中發(fā)揮重要作用。

圖3. DSF-OLED電致發(fā)光機(jī)制

相關(guān)研究成果以《Efficient deep-blue organic light-emitting diodes employing doublet sensitization》為題在線發(fā)表于Advanced MaterialsAdv. Mater.2024,202408118)。中國(guó)科學(xué)院福建物構(gòu)所-中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)/贛江院聯(lián)培博士生孫宇富為本文第一作者,中國(guó)科學(xué)院福建物構(gòu)所盧燦忠研究員和陳旭林副研究員為本文的通訊作者,北京大學(xué)劉志偉教授和長(zhǎng)春應(yīng)化所周亮研究員分別在材料合成和器件制備方面提供了幫助,為本文的共同通訊作者。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、廈門市重大科技計(jì)劃項(xiàng)目、閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室基金等支持。

盧燦忠研究員和陳旭林副研究員等在OLED材料和器件方面取得了系列研究進(jìn)展。包括藍(lán)光材料和器件(Adv. Mater.2024,202408118;Adv. Mater.2024,2401724;Angew. Chem. Int. Ed.?2017,56,15006)、TADF材料反向系間竄越機(jī)制及相關(guān)分子設(shè)計(jì)(Research 2023,6,0155;Adv. Funct. Mater.2024,2314533;Adv. Sci.2023,2300808)、新型離子型TADF材料(CCS Chem.2023,5,589;Chem. Eng. J.2023,460,141836;Chem. Eng. J.2024,482,148865)等。

論文鏈接: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202408118