上海硅酸鹽所在鎢青銅結(jié)構(gòu)鐵電陶瓷研究方面取得新進(jìn)展

文章來(lái)源:上海硅酸鹽研究所  |  發(fā)布時(shí)間:2023-12-07  |  【打印】 【關(guān)閉

  

  介質(zhì)電容器具有超快充放電速率和高功率密度的特性,其作為脈沖電源系統(tǒng)的核心,越來(lái)越受到人們的重視。然而,介質(zhì)電容器占脈沖電源系統(tǒng)體積和重量的25%以上,這與現(xiàn)代電氣和電子設(shè)備小型化和集成化的發(fā)展趨勢(shì)相矛盾。因此,如何在介質(zhì)材料中實(shí)現(xiàn)高能量存儲(chǔ)性能成為發(fā)展高端脈沖功率電容器的主要障礙。弛豫鐵電體是脈沖功率電容器最有前途的候選材料,其中鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電陶瓷在過(guò)去十年中取得了很大的發(fā)展。然而,作為第二大類鐵電體,四方鎢青銅結(jié)構(gòu)陶瓷具有豐富的鐵電和介電性能,但是由于晶粒異常生長(zhǎng)導(dǎo)致的低耐電強(qiáng)度,其在脈沖功率應(yīng)用中受到較少的關(guān)注。  

  近日,中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所鐵電陶瓷材料與器件課題組王根水研究員團(tuán)隊(duì)利用多尺度調(diào)控策略在Sr0.425La0.1Ba0.425Nb1.4Ta0.6O6(SLBNT)鎢青銅結(jié)構(gòu)無(wú)鉛陶瓷中獲得了優(yōu)異的綜合儲(chǔ)能性能。該工作從多個(gè)尺度同時(shí)增強(qiáng)了鎢青銅鐵電陶瓷的弛豫行為和耐電強(qiáng)度。疇尺度上,A、B位共摻增強(qiáng)了局部異質(zhì)性,從而打破了長(zhǎng)程鐵電有序,誘導(dǎo)出對(duì)外場(chǎng)響應(yīng)迅速的極性納米微區(qū),大大降低了其剩余極化強(qiáng)度;晶粒尺度上,高耐火性的Ta2O5顯著抑制晶粒生長(zhǎng),減小了陶瓷的平均晶粒尺寸,顯著提高了陶瓷的電阻率;宏觀能帶尺度上,寬帶隙氧化物Ta2O5 (~ 4 eV)和La2O3 (~ 4.3 eV)的取代可以擴(kuò)大陶瓷的帶隙,從而降低擊穿過(guò)程中電子電離和碰撞的概率。晶粒尺寸的減小和帶隙的拓寬顯著提高了陶瓷的耐電強(qiáng)度。最終在574 kV/cm的電場(chǎng)下,Sr0.425La0.1Ba0.425Nb1.4Ta0.6O6獲得了高儲(chǔ)能密度(5.9 J/cm3)和儲(chǔ)能效率(85.4%),顯著超越了以前對(duì)鎢青銅結(jié)構(gòu)陶瓷的研究。同時(shí),還表現(xiàn)出優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性(-120 ~ 120 )、頻率穩(wěn)定性(10 Hz ~ 250 Hz)和循環(huán)疲勞穩(wěn)定性(高達(dá)106次)。此外,還實(shí)現(xiàn)了高功率密度(257.89 MW/cm3)和超快的放電速率(t0.9=16.4 ns)。該項(xiàng)工作突出了四方鎢青銅結(jié)構(gòu)弛豫鐵電材料的研究潛力,開(kāi)拓了脈沖功率電容器領(lǐng)域的另一個(gè)熱點(diǎn)研究材料。  

  相關(guān)成果以“Superior Energy Density Achieved in Unfilled Tungsten Bronze Ferroelectrics via Multiscale Regulation Strategy”為題發(fā)表在Advanced Science (2023)上。論文第一作者是上海硅酸鹽所碩博研究生彭浩南,通訊作者是王根水研究員和劉振副研究員,相關(guān)研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、上海市浦江人才計(jì)劃、中國(guó)科協(xié)青年人才托舉工程等項(xiàng)目的資助和支持。  

  論文鏈接:https://doi.org/10.1002/advs.202300227  

 

多尺度調(diào)控策略示意圖  

 

(a-b) SBN, SLBN, 和 SLBNT陶瓷的電滯回線,(c-d) SLBNT陶瓷的儲(chǔ)能特性  

 

SBN, SLBN, 和 SLBNT陶瓷的(a)XRD譜圖,(b-e)拉曼光譜,(f-h)SEM,(i)高溫阻抗,(j-k)橢圓偏振光譜  

 

SLBNT陶瓷的(a-b)儲(chǔ)能特性溫度穩(wěn)定性,(c-e)變溫拉曼光譜,(f)變溫XRD譜圖  

 

SLBNT陶瓷的(a-c)儲(chǔ)能特性疲勞與頻率穩(wěn)定性,(d、e)過(guò)阻尼放電性能,(f、g)欠阻尼放電性能,(h、i)變溫過(guò)阻尼放電性能